Pomba
Chip nu pequeno (500 μm × 500 μm)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE = 20 mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE = 20 mA | 4,8 | 4,8 | 3,5 | 4.2 |
| SE = 50 mA | 12 | 12 | 8,7 | 10,5 | ||
| Especificação padrão | Eletrodo | No Pad |  | | | |
| Almofada AuSn | | | | |
Chip nu intermediário (750 μm × 780 μm)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=100mA | 24 | 24 | 22 | 20 |
| Especificação padrão | Eletrodo | No Pad | | | | |
| Almofada AuSn | | | | |
Chip nu grande (1000 μm × 1000 μm)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=350mA | 70 | 70 | 85 | 130 |
| Especificação padrão | Eletrodo | No Pad | | | | |
| Almofada AuSn | | | | |
| Comprimento de onda de pico | 310 nm, 325 nm, 340 nm | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Tipo de produto | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- |
| 1H321 | 1H331 | 1H211 | 1H411 | 1F111 | 1F131 | |
| Ângulo de visão (°) | 6 | 6 | 24 | 40 | 113 | 114 |
| Tipo de empréstimo | Hemi | Hemi | Hemi | Hemi | Plano | Plano |
| PARA digitar | TO46S | TO39 | TO18 | TO18 | TO18 | TO39 |
| Diâmetro TO (mm) | φ5 | f9 | φ5 | φ5 | φ5 | f9 |
| Especificação padrão | | | | | | |
SMD de potência média (tamanho médio: chip montado de 750 μm × 780 μm)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=100mA | 19 | 19 | 14 | 14 |
| Especificação padrão | | | | | ||
SMD de alta potência (Tamanho grande: chip montado de 1000μm×1000μm)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=350mA | 50 | 50 | 60 | 90 |
| Especificação padrão | | | | | ||
SMD de potência média com ângulo de visão de 35 graus (tamanho médio: 750 μm × 780 μm, montado no chip)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=100mA | 16 | 16 | 13 | 14 |
| Especificação padrão | | | | | ||
Componente SMD de alta potência com ângulo de inclinação de 35 graus (tamanho grande: 1000 μm × 1000 μm para montagem do chip)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=350mA | 43 | 43 | 50 | 80 |
| Especificação padrão | | | | | ||
SMD de potência média com ângulo de visão de 65 graus (tamanho médio: 750 μm × 780 μm, montado no chip)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=100mA | 18 | 18 | 14 | 14 |
| Especificação padrão | | | | | ||
Componentes SMD de alta potência com ângulo de inclinação de 65 a 70 graus (tamanho grande: 1000 μm × 1000 μm, montados em chip)
| Comprimento de onda de pico | λp (nm) | SE=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Potência de saída | Po (mW) | SE=350mA | 47 | 47 | 55 | 85 |
| Especificação padrão | | | | | ||