कबूतर
छोटा (500μm × 500μm) बेयर चिप
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=20mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=20mA | 4.8 | 4.8 | 3.5 | 4.2 |
| IF=50mA | 12 | 12 | 8.7 | 10.5 | ||
| मानक विनिर्देश | इलेक्ट्रोड | पैड पर |  | | | |
| AuSn पैड | | | | |
मध्य (750μm × 780μm) बेयर चिप
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=100mA | 24 | 24 | 22 | 20 |
| मानक विनिर्देश | इलेक्ट्रोड | पैड पर | | | | |
| AuSn पैड | | | | |
बड़ा (1000μm × 1000μm) बेयर चिप
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=350mA | 70 | 70 | 85 | 130 |
| मानक विनिर्देश | इलेक्ट्रोड | पैड पर | | | | |
| AuSn पैड | | | | |
| शिखर तरंगदैर्ध्य | 310 एनएम, 325 एनएम, 340 एनएम | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| उत्पाद का प्रकार | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- | xFxVL- |
| 1H321 | 1एच331 | 1H211 | 1H411 | 1F111 | 1F131 | |
| देखने का आधा कोण (°) | 6 | 6 | 24 | 40 | 113 | 114 |
| उधार प्रकार | हेमी | हेमी | हेमी | हेमी | समतल | समतल |
| टाइप करने के लिए | TO46S | टीओ39 | टीओ18 | टीओ18 | टीओ18 | टीओ39 |
| टीओ व्यास (मिमी) | φ5 | एफ9 | φ5 | φ5 | φ5 | एफ9 |
| मानक विनिर्देश | | | | | | |
मध्यम क्षमता वाली एसएमडी (मध्यम आकार: 750μm × 780μm चिप लगी हुई)
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=100mA | 19 | 19 | 14 | 14 |
| मानक विनिर्देश | | | | | ||
उच्च क्षमता वाली एसएमडी (बड़े आकार की चिप: 1000μm × 1000μm)
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=350mA | 50 | 50 | 60 | 90 |
| मानक विनिर्देश | | | | | ||
सबसे संकरा 35 डिग्री मध्य पावर एसएमडी (मध्यम आकार: 750μm × 780μm चिप माउंटेड)
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=100mA | 16 | 16 | 13 | 14 |
| मानक विनिर्देश | | | | | ||
सबसे संकीर्ण 35 डिग्री हाई पावर एसएमडी (बड़ा आकार: 1000μm × 1000μm चिप माउंटेड)
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=350mA | 43 | 43 | 50 | 80 |
| मानक विनिर्देश | | | | | ||
सबसे संकरा 65 डिग्री मध्यम पावर एसएमडी (मध्यम आकार: 750μm × 780μm चिप माउंटेड)
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=100mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=100mA | 18 | 18 | 14 | 14 |
| मानक विनिर्देश | | | | | ||
संकरा 65-70 डिग्री हाई पावर एसएमडी (बड़ा आकार: 1000μm×1000μm चिप माउंटेड)
| शिखर तरंगदैर्ध्य | λp（nm） | IF=350mA | 308 | 310 | 325 | 340 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| पावर आउटपुट | पीओ (एमडब्ल्यू) | IF=350mA | 47 | 47 | 55 | 85 |
| मानक विनिर्देश | | | | | ||